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三星電子元器件-三星電容

作者: 昂洋-小編發(fā)表時(shí)間:2021-12-22 16:25:13瀏覽量:2250

三星電子官網(wǎng)是韓國最大的電子工業(yè)企業(yè),同時(shí)也是三星集團(tuán)旗下最大的子公司。1938年3月它于韓國大邱成立,創(chuàng)始人是李秉喆?,F(xiàn)任會(huì)長是李健熙,副會(huì)長是李在镕和權(quán)五鉉,社長是崔志成,首席執(zhí)行官是由權(quán)五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯(lián)席CEO。
文本標(biāo)簽:三星電子元器件-三星電容

三星電子官網(wǎng)是韓國最大的電子工業(yè)企業(yè),同時(shí)也是三星集團(tuán)旗下最大的子公司。1938年3月它于韓國大邱成立,創(chuàng)始人是李秉喆?,F(xiàn)任會(huì)長是李健熙,副會(huì)長是李在镕和權(quán)五鉉,社長是崔志成,首席執(zhí)行官是由權(quán)五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯(lián)席CEO。在世界上最有名的100個(gè)商標(biāo)的列表中,三星電子是唯一的一個(gè)韓國商標(biāo),是韓國民族工業(yè)的象征。

  三星電子于2010年接管數(shù)碼形象事業(yè)部業(yè)務(wù),組成由圖像顯示器、IT解決方案、生活家電、無線、網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體及LCD事業(yè)部在內(nèi)的共八大事業(yè)部體系。

  三星電子另外,為提高綜合效應(yīng),企業(yè)重組配套事業(yè)機(jī)構(gòu),將DAS(Digital Air Solution)事業(yè)組與2010年初合并的三星光州電子(生活家電及空調(diào)制造)歸于生活家電事業(yè)部名下。此外,還將STB(Set-top Box,機(jī)頂盒)事業(yè)機(jī)構(gòu)列入圖像顯示器事業(yè)部管轄范圍。

半導(dǎo)體可謂是打造三星的一等功臣,三星電子的半導(dǎo)體發(fā)展史是企業(yè)的冒險(xiǎn)挑戰(zhàn)精神、董事會(huì)的決策、快速的掌握技術(shù)能力以及把握市場動(dòng)向的敏銳洞察力融匯于一體的結(jié)果。
三星集團(tuán)創(chuàng)始人李秉哲不顧公司眾人反對,毅然決然地于1983年在日本東京正式開始進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè)。對此他曾經(jīng)表示,三星符合韓國缺乏資源的自然條件,只有開發(fā)高附加值、技術(shù)含量高的產(chǎn)品才能實(shí)現(xiàn)企業(yè)的第二次飛躍。
在此后的10個(gè)月內(nèi),三星電子在世界上第三個(gè)推出64K DRAM,這在國內(nèi)外經(jīng)濟(jì)界引起強(qiáng)烈反響。然而,日后由于半導(dǎo)體價(jià)格暴跌,企業(yè)在事業(yè)之初陷入困境。盡管如此,三星的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體依然取得了長足的發(fā)展,1992年率先開發(fā)成功64M DRAM,終于在世界上確保了最強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力;1993年如愿以償?shù)貥s登存儲(chǔ)器半導(dǎo)體世界第一的寶座。此后于1994年和1996年連續(xù)開發(fā)成功256M和1G DRAM,這同樣擁有‘世界最先開發(fā)’的榮耀,這樣,半導(dǎo)體逐漸成為韓國具有代表性的產(chǎn)業(yè)。2002年NAND Flash位居世界榜首;2006年與2007年分別在世界上率先研制成功50納米級(jí)DRAM和30納米級(jí)NAND等,三星電子在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的占有率超過30%,成為業(yè)界的強(qiáng)者。
三星電子在2010年度依然保持著領(lǐng)先于世界的記錄,諸如最先進(jìn)行30納米級(jí)DRAM的批量生產(chǎn)、從7月份開始批量生產(chǎn)30納米級(jí)4Gb DDR3(Double Data Rate 3) DRAM。30納米只相當(dāng)于發(fā)絲1/4的厚度,30納米級(jí)DRAM與現(xiàn)有40納米級(jí)DRAM相比,可提高60%的生產(chǎn)效率;成本競爭力相當(dāng)于50~60納米級(jí)DRAM的2倍以上;此外,耗電量與50納米級(jí)DRAM相比最多可減少65%以上。
據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner相關(guān)資料顯示,DRAM發(fā)展勢頭良好,在2010年第二季度DRAM排名中,三星電子始終保持先導(dǎo)地位。Gartner在報(bào)告中稱,三星電子的市場占有率超過35%,這更加鞏固了其在市場上的地位。(Samsung extends lead in DRAM rankings,美 EE Times,8/9)
三星電子2010年度半導(dǎo)體投資規(guī)模達(dá)11兆韓元,特別是將存儲(chǔ)器半導(dǎo)體設(shè)施投資由當(dāng)初計(jì)劃的5兆5000億韓元增加至9兆韓元。從中可以看出,三星電子在2010年將繼續(xù)確保其在上述領(lǐng)域世界最大供給商的地位。(Can Samsung Overtake Intel?,美 WSJ,5/18)
另一方面,市場調(diào)查機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì),三星電子于2014年有望超越英特爾,躍升為半導(dǎo)體行業(yè)榜首。1999~2009年,三星電子的年均增長率(CAGR)為13.5%,而英特爾為3.4%,以此為依據(jù),預(yù)計(jì)2014年三星電子的銷售額將超過英特爾。(Samsung to overtake Intel as No.1 chip company in 2014,美 ElectronicsWeekly,美 EE Times,8/26 & 中 Sina,8/27)
另外一個(gè)值得關(guān)注的是鑄造(foundry)領(lǐng)域,三星電子在該領(lǐng)域尚未揚(yáng)名,2010年是三星電子進(jìn)軍鑄造領(lǐng)域第五個(gè)年頭,("We Wouldn't Launch a New Business Unless We Knew We Could Win"---Jeong-ki (Jay) Min,Samsung,日 NE Asia,8月)

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